SI7846DP-T1-GE3 4A 150V PPAKSO8 N-CH Mosfet

Yüksek gerilim uygulamalarında güvenilirlik ve verimlilik sunmak üzere tasarlanmış SI7846DP-T1-GE3, 150V'luk yüksek Drain-Source gerilim dayanımına sahip bir N-Kanal MOSFET'tir. 4A akım kapasitesi ve termal olarak üstün PPAKSO8 kılıfı ile bu komponent, endüstriyel güç kaynakları, telekom ve LED aydınlatma sistemleri için ideal bir anahtarlama çözümüdür.

SI7846DP-T1-GE3'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Kapasitesi: 150V Vds değeri, yüksek voltajlı devrelerde ve hat dalgalanmalarına karşı geniş bir güvenlik marjı sağlar.
• N-Kanal Verimliliği: Genellikle aynı boyuttaki P-Kanal alternatiflerine göre daha düşük RDS(on) ve daha iyi anahtarlama performansı sunar.
• Düşük İletim Direnci: Kendi voltaj sınıfı için optimize edilmiş RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını en aza indirir.
• Termal Olarak Gelişmiş PPAKSO8 Kılıfı: Kompakt boyutlarına rağmen ısıyı etkin bir şekilde dağıtarak güvenilir çalışmayı destekler.
• Düşük Gate Şarjı (Qg): Daha hızlı ve daha verimli anahtarlama sağlayarak, anahtarlama kayıplarını azaltır.
• RoHS Uyumlu ve Halojensiz: Modern çevre ve üretim standartlarına tam uyumludur.

Başlıca Kullanım Alanları

• Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS) için Primer Taraf Anahtarlama
• DC-DC Dönüştürücüler (Boost, Buck-Boost Topolojileri)
• Telekomünikasyon Altyapısı Güç Sistemleri
• Yüksek Gerilimli LED Sürücü Devreleri
• Katı Hal Röleleri (Solid-State Relays)
• Endüstriyel Otomasyon ve Motor Kontrolü

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: 150V'luk bir N-Kanal MOSFET'i hangi tip dönüştürücülerde kullanabilirim?
→ Cevap: Bu MOSFET, özellikle giriş voltajının çıkış voltajından daha düşük olduğu ve yüksek bir anahtarlama voltajı gerektiren 'boost' (yükseltici) veya 'flyback' tipi DC-DC dönüştürücülerde kullanım için çok uygundur. Ayrıca, endüstriyel 48V veya daha yüksek gerilimli sistemlerdeki 'buck' (düşürücü) dönüştürücülerde high-side anahtar olarak da kullanılabilir.

Soru: Bu MOSFET'i sürerken nelere dikkat etmeliyim?
→ Cevap: N-Kanal bir MOSFET'i özellikle high-side anahtar olarak kullanırken, gate voltajının source voltajından daha yüksek olması gerekir. Bu, genellikle bir 'bootstrap' devresi veya izole bir gate sürücü entegresi kullanılmasını gerektirir. Low-side anahtar olarak kullanıldığında ise sürülmesi daha basittir ve genellikle standart bir gate sürücü yeterlidir.

Yüksek gerilim gerektiren anahtarlamalı güç projelerinizde SI7846DP-T1-GE3'ün verimliliğinden ve sağlamlığından emin olabilirsiniz.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.