Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SI7852DP-T1-GE3, yüksek verimlilik ve güvenilirlik gerektiren modern elektronik devreler için tasarlanmış, yüksek performanslı bir N-Kanal MOSFET'tir. 80V'luk yüksek gerilim dayanımı ve 7.6A sürekli akım kapasitesi ile PPAK SO-8 kılıfında sunulan bu komponent, özellikle güç anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında üstün performans sergiler.
Soru: PPAK SO-8 kılıfının standart SO-8'den farkı nedir?
→ Cevap: PPAK SO-8, alt kısmında bulunan geniş bir metal 'pad' (exposed pad) sayesinde ısıyı PCB'ye çok daha verimli bir şekilde aktarır. Bu, standart SO-8 kılıfına göre çok daha iyi bir termal performans sunar ve MOSFET'in daha yüksek akımlarda daha serin çalışmasını sağlar.
Soru: Bu MOSFET'i bir mikrodenetleyici ile doğrudan sürebilir miyim?
→ Cevap: Doğrudan sürmek genellikle tavsiye edilmez. Çoğu mikrodenetleyici (örn: Arduino, STM32) yeterli gate akımını sağlayamaz ve gate'i hızlıca şarj/deşarj edemez. Verimli ve hızlı anahtarlama için bir 'MOSFET Gate Driver' entegresi kullanmak en iyi pratiktir.
Orta ve yüksek gerilimli güç yönetimi projelerinizde güvenilirlik ve termal performans için SI7852DP-T1-GE3'ü tercih edin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.