Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
SI7852DP-T1-GE3 7.6A 80V PPAKSO8 N-CH Mosfet
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

SI7852DP-T1-GE3 7.6A 80V PPAKSO8 N-CH Mosfet

Kategori
Açıklama
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Hafta içi 12:00’ye kadar verilen siparişler: Ertesi gün kargoda
Hafta sonu verilen siparişler: Salı günü kargoda

Mücbir sebep, ürün adeti ve yoğunluğa göre değişiklik gösterir!
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 1,89 + KDV
KDV Dahil TL 96,54 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

SI7852DP-T1-GE3 7.6A 80V PPAKSO8 N-CH Mosfet

SI7852DP-T1-GE3, yüksek verimlilik ve güvenilirlik gerektiren modern elektronik devreler için tasarlanmış, yüksek performanslı bir N-Kanal MOSFET'tir. 80V'luk yüksek gerilim dayanımı ve 7.6A sürekli akım kapasitesi ile PPAK SO-8 kılıfında sunulan bu komponent, özellikle güç anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında üstün performans sergiler.

SI7852DP-T1-GE3'nin Özellikleri ve Avantajları

  • Yüksek Gerilim Dayanımı: 80V'luk Drain-Source kırılma gerilimi sayesinde, daha yüksek voltajlı güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalar için idealdir.
  • Düşük Rds(on) Değeri: Düşük iletim direncine sahip olması, güç kayıplarını minimize eder ve sistem verimliliğini artırır.
  • Termal Verimli PPAK SO-8 Kılıf: Alt yüzeyindeki metal pad sayesinde mükemmel ısı dağılımı sağlar, bu da daha yüksek güç yoğunluğuna ve daha serin çalışmaya olanak tanır.
  • Hızlı Anahtarlama: Optimize edilmiş yapısı sayesinde hızlı anahtarlama hızlarına ulaşabilir, bu da SMPS (anahtarlamalı güç kaynağı) tasarımlarında verimliliği artırır.
  • Çevre Dostu: RoHS uyumlu ve halojensizdir, modern elektronik üretim standartlarına tam uyum sağlar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • DC-DC Dönüştürücüler (Buck/Boost)
  • Güç Kaynakları ve Adaptörler
  • BLDC Motor Sürücü Devreleri
  • Akü Yönetim Sistemleri (BMS)
  • Telekomünikasyon Güç Sistemleri
  • Röle ve Solenoid Sürücüleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: PPAK SO-8 kılıfının standart SO-8'den farkı nedir?
→ Cevap: PPAK SO-8, alt kısmında bulunan geniş bir metal 'pad' (exposed pad) sayesinde ısıyı PCB'ye çok daha verimli bir şekilde aktarır. Bu, standart SO-8 kılıfına göre çok daha iyi bir termal performans sunar ve MOSFET'in daha yüksek akımlarda daha serin çalışmasını sağlar.

Soru: Bu MOSFET'i bir mikrodenetleyici ile doğrudan sürebilir miyim?
→ Cevap: Doğrudan sürmek genellikle tavsiye edilmez. Çoğu mikrodenetleyici (örn: Arduino, STM32) yeterli gate akımını sağlayamaz ve gate'i hızlıca şarj/deşarj edemez. Verimli ve hızlı anahtarlama için bir 'MOSFET Gate Driver' entegresi kullanmak en iyi pratiktir.

Orta ve yüksek gerilimli güç yönetimi projelerinizde güvenilirlik ve termal performans için SI7852DP-T1-GE3'ü tercih edin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.