Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
SI7997DP-T1-GE3 60A 30V PPAKSO8 P-CH Mosfet
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

SI7997DP-T1-GE3 60A 30V PPAKSO8 P-CH Mosfet

Kategori
Açıklama
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Hafta içi 12:00’ye kadar verilen siparişler: Ertesi gün kargoda
Hafta sonu verilen siparişler: Salı günü kargoda

Mücbir sebep, ürün adeti ve yoğunluğa göre değişiklik gösterir!
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 2,04 + KDV
KDV Dahil TL 104,34 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

SI7997DP-T1-GE3 60A 30V PPAKSO8 P-CH Mosfet

SI7997DP-T1-GE3, yüksek akım kapasitesi gerektiren uygulamalar için özel olarak geliştirilmiş, güçlü bir P-Kanal MOSFET'tir. 30V gerilim ve 60A gibi etkileyici bir akım değeri sunan bu komponent, termal olarak verimli PPAK SO-8 kılıfı ile birleşerek yük anahtarlama ve batarya koruma devrelerinde ideal bir çözüm sunar.

SI7997DP-T1-GE3'nin Özellikleri ve Avantajları

  • Yüksek Akım Kapasitesi: 60A'e kadar sürekli drain akımı sağlayarak yüksek güç gerektiren uygulamalarda güvenilir performans sunar.
  • P-Kanal Tasarım: Özellikle yüksek taraf (high-side) anahtarlama uygulamalarında sürücü devresini basitleştirir, bootstrap kapasitörüne ihtiyaç duymaz.
  • Çok Düşük Rds(on): Ultra düşük iletim direnci sayesinde enerji kayıplarını en aza indirir, batarya ömrünü uzatır ve verimliliği maksimize eder.
  • Gelişmiş Termal Performans: PPAK SO-8 kılıfı, kompakt boyutlarda bile olağanüstü ısı yönetimi sağlayarak komponentin serin kalmasına yardımcı olur.
  • TrenchFET® Power MOSFET Teknolojisi: Vishay'in gelişmiş teknolojisi sayesinde yüksek performans ve dayanıklılık sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Akü Koruma ve Yönetim Devreleri (BMS)
  • Yük Anahtarları (Load Switches)
  • Dizüstü Bilgisayarlar ve Taşınabilir Cihazlar
  • DC Motor Kontrol Devreleri
  • Güç Dağıtım Sistemleri
  • Ters Gerilim Koruması

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: P-Kanal MOSFET neden 'high-side' anahtarlamada avantajlıdır?
→ Cevap: P-Kanal MOSFET'i yüksek tarafta (güç kaynağı ile yük arasında) anahtarlamak için, gate voltajını kaynak voltajının altına çekmek yeterlidir. Bu, N-Kanal MOSFET'lerin gerektirdiği ve genellikle bir şarj pompası devresi isteyen, kaynak voltajından daha yüksek bir gate voltajı oluşturma zorunluluğunu ortadan kaldırır ve devreyi basitleştirir.

Soru: Bu MOSFET'in yüksek akım kapasitesi küçük kılıfında sorun yaratır mı?
→ Cevap: PPAK SO-8 kılıfı bu sorun için tasarlanmıştır. Geniş alt metal yüzeyi (exposed pad) sayesinde ısıyı etkin bir şekilde PCB'nin bakır alanına yayar. İyi bir PCB tasarımı ile 60A gibi yüksek akımları güvenle yönetebilir.

Yüksek akımlı yük anahtarlama ve batarya yönetimi tasarımlarınızda basitlik ve verimlilik için SI7997DP-T1-GE3'ü seçin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.