Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SI7997DP-T1-GE3, yüksek akım kapasitesi gerektiren uygulamalar için özel olarak geliştirilmiş, güçlü bir P-Kanal MOSFET'tir. 30V gerilim ve 60A gibi etkileyici bir akım değeri sunan bu komponent, termal olarak verimli PPAK SO-8 kılıfı ile birleşerek yük anahtarlama ve batarya koruma devrelerinde ideal bir çözüm sunar.
Soru: P-Kanal MOSFET neden 'high-side' anahtarlamada avantajlıdır?
→ Cevap: P-Kanal MOSFET'i yüksek tarafta (güç kaynağı ile yük arasında) anahtarlamak için, gate voltajını kaynak voltajının altına çekmek yeterlidir. Bu, N-Kanal MOSFET'lerin gerektirdiği ve genellikle bir şarj pompası devresi isteyen, kaynak voltajından daha yüksek bir gate voltajı oluşturma zorunluluğunu ortadan kaldırır ve devreyi basitleştirir.
Soru: Bu MOSFET'in yüksek akım kapasitesi küçük kılıfında sorun yaratır mı?
→ Cevap: PPAK SO-8 kılıfı bu sorun için tasarlanmıştır. Geniş alt metal yüzeyi (exposed pad) sayesinde ısıyı etkin bir şekilde PCB'nin bakır alanına yayar. İyi bir PCB tasarımı ile 60A gibi yüksek akımları güvenle yönetebilir.
Yüksek akımlı yük anahtarlama ve batarya yönetimi tasarımlarınızda basitlik ve verimlilik için SI7997DP-T1-GE3'ü seçin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.