Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SIA456DJ-T1-GE3, kompakt boyutları yüksek gerilim kapasitesiyle birleştiren, olağanüstü bir N-Kanal MOSFET'tir. Ultra küçük PowerPAK SC-70-6L kılıfında 200V gibi çok yüksek bir gerilim dayanımı ve 2.6A akım kapasitesi sunar. Bu özellikler onu, alanın kısıtlı olduğu yüksek voltajlı anahtarlama ve sürücü uygulamaları için benzersiz bir çözüm haline getirir.
Soru: Bu kadar küçük bir MOSFET gerçekten 200V'a dayanabilir mi?
→ Cevap: Evet. Modern yarı iletken üretim teknolojileri, özellikle Vishay'in TrenchFET® teknolojisi, silikon yapısını optimize ederek çok küçük alanlarda yüksek gerilim yalıtımı sağlamayı mümkün kılar. Bu sayede SIA456DJ-T1-GE3 gibi komponentler kompakt formda yüksek gerilim performansı sunabilir.
Soru: PowerPAK SC-70 kılıfını lehimlemek zor mudur?
→ Cevap: SC-70 gibi küçük 'leadless' (bacaksız) kılıflar, manuel lehimleme için zorlayıcı olabilir. Genellikle reflow (fırınlı) lehimleme işlemleri için tasarlanmışlardır. Manuel lehimleme yapılacaksa, ince uçlu bir havya, fluks ve lehim pastası kullanılması önerilir.
Yüksek gerilim gerektiren ve yerden tasarruf etmeniz gereken tasarımlarınız için SIA456DJ-T1-GE3'ün kompakt gücünden yararlanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.