SIE812DF-T1-GE3 60A 40V POLARPAK N-CH Mosfet

SIE812DF-T1-GE3, en zorlu güç uygulamaları için tasarlanmış, üst düzey bir N-Kanal güç MOSFET'idir. Vishay'in yenilikçi PolarPAK® kılıf teknolojisi sayesinde, 40V gerilimde 60A gibi yüksek bir akımı yönetirken olağanüstü düşük Rds(on) ve mükemmel termal performans sunar. Özellikle yüksek verimli DC-DC dönüştürücüler ve güç sistemleri için ideal bir çözümdür.

SIE812DF-T1-GE3'nin Özellikleri ve Avantajları

• Mükemmel Termal Performans: PolarPAK® kılıfı, her iki tarafından da ısıyı dağıtma yeteneğine sahiptir (çift taraflı soğutma), bu da onu piyasadaki en termal verimli kılıflardan biri yapar.
• Ultra Düşük Rds(on): Çok düşük iletim direnci, anahtarlama ve iletim kayıplarını önemli ölçüde azaltarak sistem verimliliğini %95'in üzerine çıkarabilir.
• Yüksek Akım Yoğunluğu: Kompakt kılıfında 60A gibi çok yüksek bir akımı taşıyabilmesi, güç yoğunluğunu artırır ve daha küçük PCB tasarımlarına olanak tanır.
• TrenchFET® Gen III Teknolojisi: En son nesil teknoloji ile üretilmiştir, bu da ona sınıfının en iyi performansını ve güvenilirliğini kazandırır.
• Optimize Edilmiş Anahtarlama: Düşük gate şarjı (Qg) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında bile verimliliğini korur.

Başlıca Kullanım Alanları

• Sunucu ve Telekom Güç Kaynakları
• Senkron Doğrultuculu DC-DC Dönüştürücüler
• OR-ing ve Hot-Swap Uygulamaları
• Akü Yönetim ve Koruma Sistemleri
• Endüstriyel Güç Sistemleri ve Motor Kontrolü
• Yüksek Güçlü Point-of-Load (PoL) Regülatörleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: PolarPAK® kılıfının diğer PowerPAK kılıflarından temel farkı nedir?
→ Cevap: Temel farkı çift taraflı soğutma yeteneğidir. Standart PowerPAK kılıfları ısıyı genellikle alt metal yüzeyden PCB'ye aktarırken, PolarPAK kılıfı hem alttan PCB'ye hem de üst metal yüzeyden bir soğutucuya (heatsink) ısıyı aynı anda aktarabilir. Bu, termal direnci yarıya indirerek benzersiz bir soğutma performansı sağlar.

Soru: Bu MOSFET'i paralel bağlayarak akım kapasitesini artırabilir miyim?
→ Cevap: Evet, MOSFET'ler paralel bağlanabilir. SIE812DF-T1-GE3'ün düşük ve tutarlı Rds(on) değeri, akımın paralel bağlı MOSFET'ler arasında dengeli bir şekilde paylaşılmasına yardımcı olur. Ancak, en iyi performans için PCB düzeninde simetrik yollar ve her MOSFET için ayrı bir gate direnci kullanılması şiddetle tavsiye edilir.

Maksimum verimlilik ve benzersiz termal yönetim gerektiren yüksek güçlü tasarımlarınız için SIE812DF-T1-GE3 doğru seçimdir.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.