Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SIRA00DP-T1-GE3, güç yoğunluğu ve verimlilikte sınırları zorlamak için geliştirilmiş, olağanüstü bir N-Kanal MOSFET'tir. Termal olarak optimize edilmiş PPAK SO-8 kılıfında 30V gerilimde 100A gibi rekor bir akım kapasitesi sunan bu komponent, düşük voltajlı, yüksek akımlı uygulamalarda yeni bir standart belirlemektedir. Özellikle sunucu güç kaynakları ve akü yönetimi için idealdir.
Soru: Bu kadar yüksek akım için neden daha büyük bir kılıf kullanılmıyor?
→ Cevap: SIRA00DP-T1-GE3, modern yarı iletken teknolojisinin bir harikasıdır. Çok düşük Rds(on) değeri sayesinde, 100A akım geçerken bile oluşan ısı (Güç = I² * R) oldukça düşüktür. PPAK SO-8 kılıfının mükemmel termal tasarımı ile birleştiğinde, bu düşük ısıyı etkili bir şekilde dağıtmak mümkün hale gelir ve daha büyük, hantal kılıflara olan ihtiyacı ortadan kaldırır.
Soru: Senkron doğrultma (synchronous rectification) nedir ve bu MOSFET neden bu iş için idealdir?
→ Cevap: Senkron doğrultma, geleneksel diyotların yerine MOSFET'lerin kullanıldığı yüksek verimli bir AC-DC veya DC-DC dönüştürme tekniğidir. Diyotların üzerindeki gerilim düşümü (örn. 0.7V) yerine, SIRA00DP gibi ultra düşük Rds(on)'a sahip bir MOSFET kullanıldığında güç kaybı çok daha az olur. Bu, onu bu tür yüksek verimlilik gerektiren uygulamalar için mükemmel kılar.
Düşük voltajlı sistemlerde güç yoğunluğu ve verimlilikte çığır açmak için SIRA00DP-T1-GE3'ü tercih edin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.