Tüm Üyelere 2000 TL Üzeri Kargo Bedava
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
SIS407ADN-T1-GE3 18A 20V PPAK-8 P-CH Mosfet
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

SIS407ADN-T1-GE3 18A 20V PPAK-8 P-CH Mosfet

Kategori
Açıklama
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Hafta içi 12:00’ye kadar verilen siparişler: Ertesi gün kargoda
Hafta sonu verilen siparişler: Salı günü kargoda

Mücbir sebep, ürün adeti ve yoğunluğa göre değişiklik gösterir!
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 0,76 + KDV
KDV Dahil TL 38,95 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

SIS407ADN-T1-GE3 18A 20V PPAK-8 P-CH Mosfet

SIS407ADN-T1-GE3, özellikle batarya ile çalışan modern taşınabilir cihazlar için tasarlanmış, yüksek performanslı bir P-Kanal MOSFET'tir. Kompakt PowerPAK 1212-8 (PPAK-8) kılıfında 20V gerilim ve 18A akım kapasitesi sunar. Ultra düşük Rds(on) değeri sayesinde, batarya koruma devreleri ve yük anahtarları için mükemmel verimlilik ve düşük güç kaybı sağlar.

SIS407ADN-T1-GE3'nin Özellikleri ve Avantajları

  • P-Kanal Avantajı: Yüksek taraf (high-side) anahtarlama uygulamalarında sürücü devresini basitleştirir, özellikle batarya anahtarlama devrelerinde popüler bir seçimdir.
  • Ultra Düşük Rds(on): Çok düşük iletim direnci, özellikle bataryalı sistemlerde güç tasarrufu sağlayarak çalışma süresini uzatır.
  • Kompakt ve Termal Verimli PPAK-8 Kılıf: PowerPAK 1212-8 kılıfı, küçük bir ayak izinde (3.3mm x 3.3mm) mükemmel termal performans sunar, bu da onu yoğun tasarımlar için ideal kılar.
  • Düşük Voltaj Optimizasyonu: 20V Vds değeri, tek hücreli Li-Ion/Li-Po bataryalar gibi düşük voltajlı güç kaynakları için mükemmeldir.
  • TrenchFET® Gen IV Teknolojisi: En yeni nesil teknoloji ile üretilmiş olup, Rds(on) ve Gate Şarjı (Qg) arasında sınıfının en iyi dengesini sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Akıllı Telefonlar, Tabletler ve Dizüstü Bilgisayarlar
  • Batarya Koruma ve Şarj Devreleri
  • Yüksek Taraf Yük Anahtarları (High-Side Load Switches)
  • DC-DC Dönüştürücüler
  • Güç Yönetim Modülleri
  • Taşınabilir Elektronik Cihazlar

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: P-Kanal MOSFET'ler genellikle N-Kanal'a göre daha yüksek Rds(on)'a sahip değil mi?
→ Cevap: Geleneksel olarak bu doğruydu. Ancak SIS407ADN-T1-GE3 gibi TrenchFET® Gen IV teknolojisine sahip modern P-Kanal MOSFET'ler, bu farkı önemli ölçüde kapatmıştır. Bu komponent, P-Kanal tasarımının devre basitleştirme avantajını, N-Kanal'a rakip olabilecek kadar düşük Rds(on) değerleriyle birleştirir.

Soru: PowerPAK 1212-8 kılıfının PPAK SO-8'den farkı nedir?
→ Cevap: PowerPAK 1212-8, daha küçük ve daha ince bir kılıftır (yaklaşık 3.3mm x 3.3mm). Özellikle akıllı telefonlar gibi ultra kompakt cihazlar için tasarlanmıştır. PPAK SO-8 ise daha büyük (yaklaşık 5mm x 6mm) ancak genellikle daha yüksek güç kapasitesine sahip bir kılıftır.

Taşınabilir cihazlarınızda maksimum batarya ömrü ve minimum alan kullanımı için SIS407ADN-T1-GE3'ün üstün verimliliğini kullanın.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.