Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SIS407ADN-T1-GE3, özellikle batarya ile çalışan modern taşınabilir cihazlar için tasarlanmış, yüksek performanslı bir P-Kanal MOSFET'tir. Kompakt PowerPAK 1212-8 (PPAK-8) kılıfında 20V gerilim ve 18A akım kapasitesi sunar. Ultra düşük Rds(on) değeri sayesinde, batarya koruma devreleri ve yük anahtarları için mükemmel verimlilik ve düşük güç kaybı sağlar.
Soru: P-Kanal MOSFET'ler genellikle N-Kanal'a göre daha yüksek Rds(on)'a sahip değil mi?
→ Cevap: Geleneksel olarak bu doğruydu. Ancak SIS407ADN-T1-GE3 gibi TrenchFET® Gen IV teknolojisine sahip modern P-Kanal MOSFET'ler, bu farkı önemli ölçüde kapatmıştır. Bu komponent, P-Kanal tasarımının devre basitleştirme avantajını, N-Kanal'a rakip olabilecek kadar düşük Rds(on) değerleriyle birleştirir.
Soru: PowerPAK 1212-8 kılıfının PPAK SO-8'den farkı nedir?
→ Cevap: PowerPAK 1212-8, daha küçük ve daha ince bir kılıftır (yaklaşık 3.3mm x 3.3mm). Özellikle akıllı telefonlar gibi ultra kompakt cihazlar için tasarlanmıştır. PPAK SO-8 ise daha büyük (yaklaşık 5mm x 6mm) ancak genellikle daha yüksek güç kapasitesine sahip bir kılıftır.
Taşınabilir cihazlarınızda maksimum batarya ömrü ve minimum alan kullanımı için SIS407ADN-T1-GE3'ün üstün verimliliğini kullanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.