Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SQD50P04-09L_GE3, yüksek akım ve güç gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, DPAK (TO-252) kılıfında güçlü bir P-Kanal TrenchFET® güç MOSFET'idir. 50A gibi çok yüksek bir akım kapasitesi ve 40V'luk gerilim değeri ile bu komponent, otomotiv uygulamaları, ters polarite koruması ve yüksek akımlı yük anahtarlama devreleri için idealdir. Özellikle düşük RDS(on) değeri ile dikkat çeker.
Soru: Ters polarite koruması için P-Kanal MOSFET kullanmanın diyota göre avantajı nedir?
→ Bir P-Kanal MOSFET, ters polarite korumasında seri bir diyot yerine kullanıldığında, çok daha düşük bir gerilim düşümüne (I * RDS(on)) sahiptir. Bu, diyotun (genellikle 0.7V) neden olduğu güç kaybını ve ısıyı önemli ölçüde azaltır, bu da sistemi çok daha verimli hale getirir.
Soru: DPAK kılıfının montajında termal via kullanmalı mıyım?
→ Evet, SQD50P04-09L_GE3 gibi yüksek güçlü bir komponentin termal performansını en üst düzeye çıkarmak için, DPAK'ın altındaki termal pedin lehimlendiği PCB alanına termal via'lar (ısı ileten delikler) yerleştirmek şiddetle tavsiye edilir. Bu, ısıyı kartın diğer katmanlarına yayar.
Yüksek akımlı otomotiv ve endüstriyel tasarımlarınızda SQD50P04-09L_GE3 ile verimlilik ve güvenilirliği bir araya getirin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.