Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.SQJ459EP-T1_GE3, standart SO-8'e kıyasla üstün termal performans sunan PowerPAK SO-8L kılıfında yer alan, yüksek performanslı bir P-Kanal güç MOSFET'idir. 52A'lik etkileyici akım kapasitesi ve 60V'luk gerilim değeri ile bu komponent, kompakt tasarımlarda yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için özel olarak geliştirilmiştir. Düşük RDS(on) ve mükemmel termal direnç özellikleri onu rakiplerinden ayırır.
Soru: PowerPAK SO-8L kılıfının standart SO-8'den farkı nedir?
→ PowerPAK SO-8L, standart SO-8 ile aynı ayak izine sahip olmasına rağmen, alt kısmında büyük bir metal drenaj pedi (exposed pad) bulunur. Bu ped, doğrudan PCB'ye lehimlenerek MOSFET'in ürettiği ısıyı çok daha verimli bir şekilde dağıtmasını sağlar, böylece daha yüksek güç seviyelerine olanak tanır.
Soru: Bu MOSFET'i bir H-köprü (H-Bridge) devresinde kullanabilir miyim?
→ Evet, SQJ459EP-T1_GE3, bir H-köprü devresinin yüksek taraf (high-side) anahtarları olarak kullanım için mükemmeldir. Düşük taraf (low-side) için ise genellikle tamamlayıcı bir N-Kanal MOSFET kullanılır. Bu kombinasyon, verimli bir motor sürücü devresi oluşturur.
Kompakt ve termal olarak zorlu güç tasarımlarınızda SQJ459EP-T1_GE3 ile sınırları zorlayın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.