SQM70060EL_GE3 75A 100V D2PAK N-CH Mosfet

SQM70060EL_GE3, 100V'luk yüksek kırılma gerilimi ve 75A'lik güçlü akım kapasitesini bir araya getiren, D2PAK (TO-263) kılıfında bir N-Kanal güç MOSFET'idir. Bu komponent, özellikle 48V sistemler, telekomünikasyon güç kaynakları ve endüstriyel otomasyon gibi yüksek gerilim ve yüksek akım gerektiren uygulamalar için idealdir. Düşük RDS(on) ve yüksek VDS değeri, onu güvenilir ve verimli bir seçenek yapar.

SQM70060EL_GE3'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Gerilim Kapasitesi: 100V'luk VDS değeri, 48V ve 72V gibi sistemlerde voltaj sıçramalarına (spikes) karşı geniş bir güvenlik marjı sağlar.
• Güçlü Akım Performansı: 75A sürekli Drain akımı, yüksek güçteki motorları ve endüstriyel yükleri sürmek için yeterlidir.
• Düşük RDS(on): Düşük 'on-state' direnci, yüksek gerilim uygulamalarında bile güç kayıplarını minimumda tutar.
• Sağlam D2PAK Kılıfı: Mükemmel termal performansa sahip TO-263 paketi, yüksek güçte kararlı çalışmayı destekler ve soğutucu montajına olanak tanır.
• AEC-Q101 Kalifikasyonu: Otomotiv ve endüstriyel uygulamaların gerektirdiği yüksek güvenilirlik standartlarını karşılar.

Başlıca Kullanım Alanları

• 48V Otomotiv Sistemleri (Mild-Hybrid)
• Telekomünikasyon ve Sunucu Güç Kaynakları (SMPS)
• Endüstriyel Motor Sürücüleri ve Robotik
• Güneş Enerjisi İnvertörleri ve Şarj Kontrol Cihazları
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: 100V'luk bir MOSFET'i 12V'luk bir sistemde kullanabilir miyim?
→ Evet, kullanabilirsiniz. Daha yüksek bir gerilim derecesi genellikle daha fazla güvenlik payı anlamına gelir. Ancak, genellikle daha yüksek gerilimli MOSFET'lerin aynı teknoloji seviyesindeki daha düşük gerilimli olanlara göre RDS(on) değerleri biraz daha yüksek olabilir. Uygulamanız için verimlilik ve güvenlik marjı arasındaki en iyi dengeyi bulmak önemlidir.

Soru: Bu MOSFET'in gate sürücü gereksinimleri nelerdir?
→ Bu güçlü bir MOSFET olduğu için, gate kapasitansını (gate capacitance) hızlı bir şekilde şarj ve deşarj edebilecek güçlü bir gate sürücü entegresi kullanmak, anahtarlama kayıplarını minimize etmek için kritik öneme sahiptir. Genellikle 10V ile 12V arasında bir gate voltajı, en düşük RDS(on) değerini elde etmek için tavsiye edilir.

SQM70060EL_GE3 ile yüksek gerilimli güç tasarımlarınızda güvenilirlik ve verimliliği birleştirin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.