30.12.2025 saat 15:00’dan sonra oluşturulan siparişler, 05.01.2026 Pazartesi hazırlanmaya başlanacaktır.
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
STGW80H65DFB - GW80H65DFB TO-247 IGBT
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

STGW80H65DFB - GW80H65DFB TO-247 IGBT

Kategori
Açıklama
STGW80H65DFB | GW80H65DFB TO-247 IGBT - Transistör
Belgeler
Teslimat Bilgisi

Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.

(Mücbir sebepler hariç)

Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 13,35 + KDV
İndirimli Fiyat $ 12,55 + KDV
KDV Dahil TL 645,16 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

STGW80H65DFB - GW80H65DFB TO-247 IGBT - Transistör

STGW80H65DFB, yüksek güç ve yüksek voltaj gerektiren anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış, son teknoloji bir IGBT'dir (Insulated Gate Bipolar Transistor). MOSFET'in kolay sürülme özelliği ile BJT'nin yüksek akım ve düşük iletim kaybı avantajlarını bir araya getiren bu komponent, özellikle endüstriyel motor sürücüleri, solar invertörler ve kaynak makineleri gibi zorlu uygulamalarda üstün performans sergiler. Sağlam TO-247 kılıfı, mükemmel termal yönetim sağlar.

STGW80H65DFB - GW80H65DFB TO-247 IGBT - Transistör'nin Özellikleri ve Avantajları

  • IGBT Teknolojisi: Düşük VCE(sat) (doyma gerilimi) sayesinde yüksek akımlarda bile düşük iletim kayıpları sunar.
  • Yüksek Gerilim Dayanımı: 650V'luk kolektör-emiter gerilimi ile şebeke bağlantılı uygulamalarda güvenilirlik sağlar.
  • TO-247 Kılıf: Yüksek güç uygulamalarında oluşan ısının verimli bir şekilde dağıtılması için ideal, büyük ve sağlam bir kılıftır.
  • Dahili Co-Packaged Diyot: Hızlı ve yumuşak toparlanma (soft recovery) özellikli dahili diyot, endüktif yüklerde anahtarlama kayıplarını azaltır.
  • Yüksek Anahtarlama Hızı: Modern ve verimli güç dönüştürücü tasarımlarına olanak tanır.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Endüstriyel motor sürücüleri (AC motor, servo sürücüler)
  • Güneş enerjisi (solar) invertörleri
  • Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
  • Kaynak makineleri
  • Endüksiyonla ısıtma sistemleri
  • Yüksek güçlü anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

IGBT ile MOSFET arasındaki temel fark nedir?
→ MOSFET'ler çok yüksek frekanslarda daha verimlidir, ancak yüksek voltaj ve yüksek akımlarda iletim kayıpları artar. IGBT'ler ise özellikle yüksek voltaj ( > 400V) ve yüksek akım uygulamalarında çok daha düşük iletim kayıpları (VCE(sat)) sunar, bu da onları motor sürücüleri ve invertörler gibi uygulamalar için daha uygun hale getirir.

'Co-packaged Diyot' ne anlama geliyor?
→ Bu, IGBT paketinin içinde, kolektör ve emiter arasına ters paralel olarak bağlanmış bir serbest geçiş (freewheeling) diyotu bulunduğu anlamına gelir. Bu diyot, motor gibi endüktif bir yük kapatıldığında oluşan ters EMK'yı sönümleyerek IGBT'yi korur ve sistem verimliliğini artırır.

En zorlu yüksek güç uygulamalarınızda verimlilik ve güvenilirlik için STGW80H65DFB IGBT'yi seçin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.