Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Bu ürün 1-2 iş günü içerisnde kargoya verilir.
(Mücbir sebepler hariç)
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.STGW80H65DFB, yüksek güç ve yüksek voltaj gerektiren anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış, son teknoloji bir IGBT'dir (Insulated Gate Bipolar Transistor). MOSFET'in kolay sürülme özelliği ile BJT'nin yüksek akım ve düşük iletim kaybı avantajlarını bir araya getiren bu komponent, özellikle endüstriyel motor sürücüleri, solar invertörler ve kaynak makineleri gibi zorlu uygulamalarda üstün performans sergiler. Sağlam TO-247 kılıfı, mükemmel termal yönetim sağlar.
IGBT ile MOSFET arasındaki temel fark nedir?
→ MOSFET'ler çok yüksek frekanslarda daha verimlidir, ancak yüksek voltaj ve yüksek akımlarda iletim kayıpları artar. IGBT'ler ise özellikle yüksek voltaj ( > 400V) ve yüksek akım uygulamalarında çok daha düşük iletim kayıpları (VCE(sat)) sunar, bu da onları motor sürücüleri ve invertörler gibi uygulamalar için daha uygun hale getirir.
'Co-packaged Diyot' ne anlama geliyor?
→ Bu, IGBT paketinin içinde, kolektör ve emiter arasına ters paralel olarak bağlanmış bir serbest geçiş (freewheeling) diyotu bulunduğu anlamına gelir. Bu diyot, motor gibi endüktif bir yük kapatıldığında oluşan ters EMK'yı sönümleyerek IGBT'yi korur ve sistem verimliliğini artırır.
En zorlu yüksek güç uygulamalarınızda verimlilik ve güvenilirlik için STGW80H65DFB IGBT'yi seçin.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve uygulama detayları için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.