STL24NM60N 16A 600V PowerFlat (8x8) HV N-CH Mosfet

STL24NM60N, yüksek güç kapasitesini yenilikçi ve büyük yüzeyli PowerFlat (8x8) HV kılıf ile birleştiren, MDmesh™ II Plus teknolojisine sahip bir N-Kanal güç Mosfet'idir. 600V gerilim dayanımı ve 16A'lik akım kapasitesi ile, özellikle yüksek verimlilik ve üstün termal performans gerektiren yüksek güçlü ve kompakt SMPS tasarımları için geliştirilmiştir.

STL24NM60N'nin Özellikleri ve Avantajları

• PowerFlat (8x8) HV Kılıf: Geniş 8x8mm'lik yüzey alanı ve düşük profili sayesinde, standart TO-220 gibi kılıflara kıyasla çok daha iyi termal performans ve daha az PCB alanı sunar.
• MDmesh™ II Plus Teknolojisi: Bu teknoloji, çok düşük RDS(on) ve gate şarjı (Qg) kombinasyonu sunarak her türlü yük koşulunda yüksek anahtarlama verimliliği sağlar.
• Yüksek Akım Kapasitesi: Kompakt yüzey montajlı bir kılıfta 16A'lik etkileyici bir akım taşıma kapasitesi sunar.
• Mükemmel Termal Yönetim: Geniş metal alt yüzeyi, ısıyı PCB üzerindeki bakır alana verimli bir şekilde yayarak, harici soğutucu ihtiyacını azaltabilir veya ortadan kaldırabilir.
• Yüksek Güvenilirlik: Yüksek dV/dt dayanıklılığı ve 100% çığ (avalanche) testi ile zorlu koşullarda bile güvenilir bir çalışma sunar.

Başlıca Kullanım Alanları

• Yüksek Güçlü AC/DC Adaptörler
• Oyun Konsolu ve PC Güç Kaynakları (PSU)
• Sunucu ve Ağ Ekipmanları için SMPS
• PFC (Güç Faktörü Düzeltme) Devreleri
• Solar (Güneş Enerjisi) Mikro-İnvertörler
• Endüstriyel Güç Kaynakları

Sık Sorulan Sorular (SSS)

PowerFlat (8x8) kılıfını standart bir TO-220 ile nasıl karşılaştırabiliriz?
→ PowerFlat (8x8), bir SMD (yüzey montajlı) kılıftır, TO-220 ise THT (delik içi montajlı) bir kılıftır. PowerFlat, çok daha düşük bir profile (yükseklik) sahiptir ve PCB'de daha az yer kaplar. Termal olarak, PCB'nin kendisi soğutucu olarak kullanıldığında TO-220'ye rakip olabilir veya daha iyi performans gösterebilir, bu da tasarımları daha kompakt ve montajı daha kolay hale getirir.

MDmesh™ II Plus teknolojisi ne gibi bir avantaj sağlar?
→ Bu teknoloji, özellikle düşük gate şarjı (Qg) ile düşük iletim direncini (RDS(on)) birleştirmeye odaklanır. Bu, mosfetin hem iletimde (düşük RDS(on) sayesinde) hem de anahtarlama sırasında (düşük Qg sayesinde) minimum güç kaybına sahip olmasını sağlar. Sonuç olarak genel sistem verimliliği artar.

Yüksek güç ve üstün termal performans gerektiren kompakt tasarımlarınız için STL24NM60N'in gücünü keşfedin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.