SUM110N10-09-E3 110A 100V D2PAK N-CH Mosfet

SUM110N10-09-E3, Vishay tarafından üretilen, olağanüstü yüksek akım ve güç yoğunluğu sunan bir N-Kanal Power Mosfet'tir. 100V'luk sağlam bir gerilim dayanımına ve 110A gibi muazzam bir sürekli akım kapasitesine sahiptir. Yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış yüzey montajlı D2PAK (TO-263) kılıfı, mükemmel termal performans sergiler. Bu mosfet, en zorlu güç dönüşüm ve motor kontrol uygulamaları için idealdir.

SUM110N10-09-E3'nin Özellikleri ve Avantajları

• Muazzam Akım Kapasitesi: 110A sürekli drenaj akımı, çok yüksek güçlü motorları, invertörleri ve güç kaynaklarını yönetme olanağı tanır.
• Düşük Rds(on): 100V'luk bir mosfet için oldukça düşük olan iletim direnci (yaklaşık 9 miliohm), iletim kayıplarını en aza indirir.
• D2PAK (TO-263) Kılıf: Geniş metal pedi sayesinde ısıyı PCB'nin bakır katmanlarına verimli bir şekilde aktarır, bu da üstün termal yönetim sağlar.
• TrenchFET® Teknolojisi: Düşük gate şarjı ve hızlı anahtarlama özellikleri ile yüksek verimlilik sunar.
• 100V Gerilim Sınırı: 48V ve daha yüksek gerilimli sistemlerde güvenli çalışma için yeterli bir pay bırakır.

Başlıca Kullanım Alanları

• Fırçasız DC (BLDC) motor sürücüleri ve endüstriyel motor kontrolü
• Telekomünikasyon ve sunucu güç kaynakları (SMPS)
• Akü şarj sistemleri ve batarya yönetim sistemleri (BMS)
• Yüksek güçlü DC-DC dönüştürücüler
• Solar mikro-invertörler ve güç optimizasyon cihazları

Sık Sorulan Sorular (SSS)

D2PAK ve DPAK kılıfları arasındaki temel fark nedir?
→ D2PAK (TO-263), DPAK (TO-252) kılıfının daha büyük ve daha güçlü bir versiyonudur. Daha geniş bir metal soğutma pedine sahiptir, bu da daha yüksek güç seviyelerini idare etmesine ve ısıyı daha etkili bir şekilde dağıtmasına olanak tanır. Genellikle, D2PAK kılıflı mosfetler daha yüksek akım ve güç kapasitelerine sahiptir.

Bu mosfet'i paralel bağlayarak akım kapasitesini artırabilir miyim?
→ Evet, mosfetler genellikle akım kapasitesini artırmak için paralel bağlanabilir. Ancak bunu yaparken dikkatli olmak gerekir. Mosfetlerin Rds(on) ve Vgs(th) gibi parametrelerinin birbirine yakın olması, akımın eşit şekilde paylaşılması için önemlidir. Ayrıca, her mosfetin gate'ine ayrı bir gate direnci eklemek, olası salınımları (oscillations) önlemek için iyi bir uygulamadır.

Güç elektroniği tasarımlarınızda maksimum akım ve verimlilik için SUM110N10-09-E3 doğru seçimdir!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.