Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.WG40S65HFW1Q, yeni nesil güç elektroniğinin temel taşlarından biri olan Silisyum Karbür (SiC) teknolojisine sahip, ultra yüksek performanslı bir anahtarlama elemanıdır. 650V gerilim ve 40A akım kapasitesi sunan bu TO-247 kılıfındaki komponent, olağanüstü düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek sıcaklık performansı ile geleneksel silisyum IGBT ve MOSFET'lere kıyasla devrim niteliğinde bir verimlilik artışı sağlar.
Bu komponent bir SiC MOSFET mi yoksa SiC IGBT mi?
→ Parça numarasındaki 'S' harfi genellikle Silisyum Karbür (SiC) olduğunu belirtir. Genellikle bu tür komponentler SiC MOSFET'lerdir çünkü en yaygın SiC anahtarlama elemanı onlardır. Kesin bilgi için veri sayfası kontrol edilmelidir.
SiC komponentleri sürerken özel bir gate sürücüye ihtiyacım var mı?
→ Evet, SiC MOSFET'ler çok hızlı anahtarlama yaptıklarından, bu hızdan tam olarak faydalanmak ve güvenli çalışmayı sağlamak için özel olarak tasarlanmış, yüksek dv/dt bağışıklığına sahip, güçlü ve hızlı gate sürücüler kullanılması şiddetle tavsiye edilir.
Güç elektroniğinde verimlilik standardını yeniden belirleyen WG40S65HFW1Q SiC komponenti ile geleceğin teknolojisini bugünden yakalayın!
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.