2500 TL ve Üzeri TÜM KARGOLAR ÜCRETSİZ
Menü
Giriş
Şifremi Unuttum
Sepetim
Yukarı
WG40S65HFW1Q TO-247 IGBT
Büyüt

Görseller sadece referans içindir. Kesin özellikler için üretici ürün sayfasına bakınız.

Ürün Adı

WG40S65HFW1Q TO-247 IGBT

Kategori
Açıklama
SINGLE 40A 650V
Belgeler
Teslimat Bilgisi
Hafta içi 12:00’ye kadar verilen siparişler: Ertesi gün kargoda
Hafta sonu verilen siparişler: Salı günü kargoda

Mücbir sebep, ürün adeti ve yoğunluğa göre değişiklik gösterir!
Yorumlar
Teslimat ve Fiyat
Fiyat $ 1,01 + KDV
İndirimli Fiyat $ 1,01 + KDV
KDV Dahil TL 52,90 TL (KDV Dahil TL)
Canlı Destekten Yardım Alın
Hızlı Kargo

Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.

Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.

Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.

WG40S65HFW1Q TO-247

WG40S65HFW1Q, yeni nesil güç elektroniğinin temel taşlarından biri olan Silisyum Karbür (SiC) teknolojisine sahip, ultra yüksek performanslı bir anahtarlama elemanıdır. 650V gerilim ve 40A akım kapasitesi sunan bu TO-247 kılıfındaki komponent, olağanüstü düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek sıcaklık performansı ile geleneksel silisyum IGBT ve MOSFET'lere kıyasla devrim niteliğinde bir verimlilik artışı sağlar.

WG40S65HFW1Q'nun Özellikleri ve Avantajları

  • Silisyum Karbür (SiC) Teknolojisi: Neredeyse sıfır ters toparlanma akımı (zero reverse recovery) sayesinde anahtarlama kayıplarını dramatik bir şekilde azaltır.
  • Ultra Hızlı Anahtarlama: Çok yüksek frekanslarda (100 kHz ve üzeri) çalışmaya imkan tanıyarak pasif komponentlerin (bobin, kapasitör) boyutunu ve maliyetini düşürür.
  • Düşük İletim Kaybı: Düşük Rds(on) değeri ile iletim sırasında minimum güç kaybı sağlar.
  • Yüksek Sıcaklık Dayanımı: SiC materyali, silisyuma göre çok daha yüksek sıcaklıklarda kararlı bir şekilde çalışabilir, bu da soğutma sistemi gereksinimlerini azaltır.
  • Yüksek Verimlilik: Hem anahtarlama hem de iletim kayıplarının düşük olması, %99'lara varan sistem verimliliklerine ulaşmayı mümkün kılar.

Başlıca Kullanım Alanları

  • Elektrikli Araç (EV) Ana Sürücü İnvertörleri ve On-Board Charger (OBC)
  • Yüksek Verimli Solar İnvertörler
  • Veri Merkezi (Data Center) Güç Kaynakları
  • Yüksek Frekanslı DC-DC Dönüştürücüler
  • Katı Hal Transformatörleri (Solid State Transformers)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Bu komponent bir SiC MOSFET mi yoksa SiC IGBT mi?
→ Parça numarasındaki 'S' harfi genellikle Silisyum Karbür (SiC) olduğunu belirtir. Genellikle bu tür komponentler SiC MOSFET'lerdir çünkü en yaygın SiC anahtarlama elemanı onlardır. Kesin bilgi için veri sayfası kontrol edilmelidir.

SiC komponentleri sürerken özel bir gate sürücüye ihtiyacım var mı?
→ Evet, SiC MOSFET'ler çok hızlı anahtarlama yaptıklarından, bu hızdan tam olarak faydalanmak ve güvenli çalışmayı sağlamak için özel olarak tasarlanmış, yüksek dv/dt bağışıklığına sahip, güçlü ve hızlı gate sürücüler kullanılması şiddetle tavsiye edilir.

Güç elektroniğinde verimlilik standardını yeniden belirleyen WG40S65HFW1Q SiC komponenti ile geleceğin teknolojisini bugünden yakalayın!

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik detaylar için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.

T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.