WNSC2M1K0170WQ 7A 1700V TO247-3 N-CH Mosfet

WNSC2M1K0170WQ, yeni nesil güç elektroniği sistemleri için tasarlanmış, **1700V** gibi çok yüksek bir kırılma gerilimine ve **7A** akım kapasitesine sahip, **TO247-3** kılıfında, yüksek performanslı bir **N-Kanal Silisyum Karbür (SiC) Mosfet**'tir. Geleneksel silisyum Mosfet'lere kıyasla sunduğu üstün anahtarlama performansı ve düşük kayıplar ile verimlilikte çığır açar.

WNSC2M1K0170WQ'nin Özellikleri ve Avantajları

• Ultra Yüksek Kırılma Gerilimi: 1700V değeri ile yüksek voltajlı endüstriyel ve şebeke bağlantılı uygulamalar için idealdir.
• Silisyum Karbür (SiC) Teknolojisi: Çok daha hızlı anahtarlama, daha düşük anahtarlama kayıpları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma imkanı sunar.
• Düşük Kapasitans Değerleri: Hızlı açılıp kapanmayı sağlayarak yüksek frekanslı tasarımlarda verimliliği artırır.
• TO247-3 Kılıf: Yüksek güç uygulamalarında mükemmel termal yönetim ve kolay montaj için endüstri standardı bir çözümdür.
• Yüksek Sistem Verimliliği: Hem iletim hem de anahtarlama kayıplarını minimize ederek genel sistem verimliliğini önemli ölçüde iyileştirir.

Başlıca Kullanım Alanları

• Elektrikli Araç (EV) Hızlı Şarj İstasyonları
• Solar ve Rüzgar Enerjisi İnvertörleri
• Endüstriyel Motor Sürücüleri
• Yardımcı Güç Kaynakları (Auxiliary Power Supplies)
• Yüksek Gerilim DC-DC Dönüştürücüler
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: Silisyum Karbür (SiC) Mosfet kullanmanın geleneksel silisyum (Si) Mosfet'e göre avantajı nedir?
→ Cevap: SiC Mosfet'ler, daha geniş bant aralığına sahip bir yarı iletken malzeme kullanır. Bu sayede daha yüksek gerilimlere dayanabilir, daha hızlı anahtarlama yapabilir, daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilir ve aynı akım/gerilim değerleri için daha düşük RDS(on) direncine sahip olabilirler. Bu da daha küçük, daha hafif ve daha verimli güç sistemleri tasarlamayı mümkün kılar.

Soru: Bu Mosfet'i sürerken özel bir sürücü devresi gerekir mi?
→ Cevap: Evet, SiC Mosfet'lerin ultra hızlı anahtarlama özelliklerinden tam olarak faydalanmak ve onları güvenli bir şekilde sürmek için, genellikle bu teknolojiye özel tasarlanmış Gate sürücü entegreleri kullanılması önerilir. Bu sürücüler, gereken negatif Gate voltajını sağlayabilir ve parazitik endüktans etkilerini en aza indirir.

WNSC2M1K0170WQ SiC Mosfet ile yüksek gerilim uygulamalarınızda verimlilik ve güç yoğunluğu standartlarını yeniden belirleyin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve parametreler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.