Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.WNSC2M20120R6Q, en zorlu yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmış, **133A** gibi olağanüstü bir akım kapasitesine, **1200V** kırılma gerilimine ve yenilikçi **TO247-4L** (4 bacaklı) kılıfına sahip, üst düzey bir **N-Kanal Silisyum Karbür (SiC) Mosfet**'tir. Kelvin Source bacağı sayesinde anahtarlama performansını zirveye taşır.
Soru: TO247-4L kılıfındaki 4. bacağın (Kelvin Source) amacı nedir?
→ Cevap: Standart 3 bacaklı kılıflarda, Gate sürücü akımı ile ana güç akımı aynı Source bacağını kullanır. Yüksek akımlarda bu ortak yoldaki endüktans, Gate voltajında bozulmalara neden olarak anahtarlamayı yavaşlatır. 4. bacak olan Kelvin Source, Gate sürücüsü için ayrı ve temiz bir geri dönüş yolu sunarak bu etkiyi ortadan kaldırır, bu da daha hızlı ve daha verimli anahtarlama ile sonuçlanır.
Soru: Bu Mosfet'i 3 bacaklı bir TO247 yerine kullanabilir miyim?
→ Cevap: PCB düzeni uyumluysa evet. Kelvin Source (4. bacak) Gate sürücünün GND'sine, Power Source (3. bacak) ise ana güç devresinin GND/return yoluna bağlanmalıdır. Bu şekilde kılıfın avantajlarından tam olarak faydalanabilirsiniz. Eğer Kelvin Source bacağını kullanmazsanız, performans 3 bacaklı bir Mosfet'e benzer olacaktır.
WNSC2M20120R6Q ile elektrikli araçlar ve yenilenebilir enerji sistemleri için performansın sınırlarını zorlayın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve parametreler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.