WNSC2M40120R6Q 73A 1200V TO247-4L N-CH Mosfet

WNSC2M40120R6Q, yüksek güç yoğunluğu, üstün verimlilik ve ultra hızlı anahtarlama yeteneklerini bir araya getiren, **73A** akım, **1200V** gerilim kapasitesine ve **TO247-4L** kılıfına sahip, son teknoloji bir **N-Kanal Silisyum Karbür (SiC) Mosfet**'tir. Kelvin Source bağlantısı ile optimize edilen bu bileşen, elektrikli araç şarj üniteleri ve solar invertörler gibi zorlu uygulamalar için idealdir.

WNSC2M40120R6Q'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Güç ve Verimlilik: 73A akım kapasitesi ve SiC teknolojisinin getirdiği düşük RDS(on) ile yüksek güç seviyelerinde dahi minimum kayıpla çalışır.
• Gelişmiş TO247-4L Kılıf: Ayrı Kelvin Source pini sayesinde Gate sürücü döngüsü endüktansını minimize eder, anahtarlama hızını artırır ve kayıpları azaltır.
• 1200V Gerilim Dayanımı: Yüksek voltajlı modern güç sistemlerinde (örneğin 800V bus mimarileri) güvenli ve kararlı çalışma sağlar.
• Hızlı ve Temiz Anahtarlama: Düşük iç kapasitans ve optimize edilmiş kılıf tasarımı, yüksek frekanslı PFC ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde mükemmel performans sunar.
• Geniş Sıcaklık Aralığı: SiC malzemesinin doğası gereği yüksek sıcaklıklarda kararlı bir şekilde çalışarak sistemin termal tasarımını kolaylaştırır.

Başlıca Kullanım Alanları

• DC Hızlı Şarj Cihazları (EV Fast Chargers)
• Yüksek Güçlü Solar İnvertörler
• Enerji Depolama Sistemleri (ESS) için Güç Dönüşüm Üniteleri (PCU)
• Endüstriyel Motor Sürücüleri
• Yüksek Güçlü Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: Paralel olarak birden fazla WNSC2M40120R6Q kullanabilir miyim?
→ Cevap: Evet, SiC Mosfet'ler genellikle paralel kullanıma uygundur. RDS(on) dirençlerinin pozitif sıcaklık katsayısı, akımın Mosfet'ler arasında dengeli bir şekilde paylaşılmasına yardımcı olur. Ancak, en iyi performansı elde etmek için PCB düzeninin simetrik olması ve her Mosfet için ayrı bir Gate sürücü direnci kullanılması kritik öneme sahiptir.

Soru: Bu Mosfet'in gövde diyotu (body diode) performansı nasıldır?
→ Cevap: SiC Mosfet'lerin gövde diyotları, geleneksel silisyum Mosfet'lere göre çok daha iyi bir performansa sahiptir. Özellikle, çok düşük veya neredeyse sıfır olan 'ters toparlanma yükü' (Qrr) sayesinde, serbest geçiş (freewheeling) durumlarında oluşan kayıplar önemli ölçüde azalır. Bu, özellikle köprü tipi topolojilerde verimliliği artıran önemli bir avantajdır.

WNSC2M40120R6Q SiC Mosfet ile güç elektroniği tasarımlarınızda verimlilik, hız ve güç yoğunluğu çıtasını yükseltin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve parametreler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.