WNSC2M40120W6Q 64A 1200V TO247-3 N-CH Mosfet

WNSC2M40120W6Q, yüksek gerilim ve yüksek akım gerektiren güç elektroniği uygulamaları için tasarlanmış, **64A** akım ve **1200V** gerilim değerlerine sahip, endüstri standardı **TO247-3** kılıfında bir **N-Kanal Silisyum Karbür (SiC) Mosfet**'tir. SiC teknolojisinin sunduğu düşük kayıplar ve yüksek anahtarlama hızı avantajlarını, yaygın olarak kullanılan TO247-3 kılıfının basitliği ile birleştirir.

WNSC2M40120W6Q'nin Özellikleri ve Avantajları

• Yüksek Güç Kapasitesi: 64A akım ve 1200V gerilim değerleri ile zorlu güç dönüştürme görevleri için idealdir.
• Üstün Verimlilik: Silisyum Karbür (SiC) teknolojisi sayesinde hem iletim (düşük RDS(on)) hem de anahtarlama kayıpları (düşük Eon, Eoff) minimize edilmiştir.
• Standart TO247-3 Kılıf: Mevcut tasarımlara kolay entegrasyon ve endüstri standardı soğutucularla uyumluluk sağlar.
• Yüksek Çalışma Frekansı: Hızlı anahtarlama kabiliyeti, daha küçük pasif bileşenler (bobin, kapasitör) kullanılmasına olanak tanıyarak sistem boyutunu ve maliyetini düşürür.
• Mükemmel Termal Kararlılık: Yüksek sıcaklıklarda bile güvenilir performans gösterir, bu da daha dayanıklı sistemler tasarlamanızı sağlar.

Başlıca Kullanım Alanları

• Solar İnvertörler
• Elektrikli Araç Şarj Cihazları
• Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
• Endüstriyel Kaynak Makineleri
• Yüksek Gerilim Güç Faktörü Düzeltme (PFC) Devreleri

Sık Sorulan Sorular (SSS)

Soru: Bu ürün ile 'R6Q' son ekli (TO247-4L) versiyonu arasındaki temel fark nedir?
→ Cevap: Temel fark kılıftır. Bu ürün (W6Q) standart 3 bacaklı TO247 kılıfına sahiptir. 'R6Q' versiyonu ise 4 bacaklı (Kelvin Source pini eklenmiş) TO247-4L kılıfındadır. Kelvin Source pini, en yüksek anahtarlama performansını hedeflerken, standart TO247-3 kılıfı daha basit bir PCB düzeni ve mevcut tasarımlarla uyumluluk sunar.

Soru: SiC Mosfet'leri sürerken Gate voltajı neden önemlidir?
→ Cevap: SiC Mosfet'ler genellikle tam iletime geçmek için +18V ila +20V arası bir Gate voltajı gerektirir. Kapalı durumda ise -2V ila -5V arası bir negatif Gate voltajı uygulamak, gürültüye karşı bağışıklığı artırır ve yanlışlıkla açılmayı önler. Bu nedenle, bu voltaj seviyelerini sağlayabilen özel SiC Gate sürücüleri kullanmak kritik öneme sahiptir.

WNSC2M40120W6Q'nun gücü ve verimliliği ile yüksek voltajlı tasarımlarınızı basitleştirin ve optimize edin.

Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir rehber niteliğindedir. Kesin teknik özellikler ve parametreler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.