Sitemizdeki bir çok ürün aynı gün kargolanır. Detaylar, ürün "Teslimat Bilgisi" alanında yazmaktadır.
Üzgünüm, sınırlı stok veya şu anda yok, ancak gelmek üzere olabilir. Sağ altta bulunan CANLI DESTEK hattımıza yazınız.
Bu ürün geldiğinde mail ile haber almak için, tıklayınız.ZX5T851GTA, Diodes Incorporated tarafından geliştirilmiş, 6A tepe akım kapasitesine ve 60V gerilim dayanımına sahip, yüksek performanslı bir NPN güç transistörüdür. Mükemmel termal özelliklere sahip SOT223 paketi ve ultra düşük doyma gerilimi ile güç verimliliğinin kritik olduğu uygulamalar için tasarlanmıştır. Düşük taraf (low-side) anahtarlama ve sürücü devrelerinde üstün bir performans sergiler.
Soru: Düşük VCE(sat) değerinin pratik faydası nedir?
→ Cevap: Düşük VCE(sat), transistör 'açık' durumdayken üzerinde düşen gerilimin az olduğu anlamına gelir. Güç (P) = Gerilim (V) x Akım (I) formülüne göre, düşük gerilim düşümü daha az güç kaybı (ısıya dönüşen enerji) demektir. Bu da daha yüksek verimlilik, daha az ısınma ve daha uzun pil ömrü sağlar.
Soru: Bu transistörü 5V'luk bir mikrodenetleyici ile sürebilir miyim?
→ Cevap: Evet, yüksek akım kazancı sayesinde 5V veya 3.3V'luk bir mikrodenetleyici çıkış pini, bir baz direnci üzerinden bu transistörü rahatlıkla doyuma ulaştırarak yüksek akımlı bir yükü anahtarlayabilir.
Güç anahtarlama tasarımlarınızda verimliliği en üst düzeye çıkarmak için ZX5T851GTA'nın ultra düşük kayıplı yapısını kullanın.
Not: Bu sayfadaki bilgiler genel bir bakış sunmaktadır. En doğru ve güncel teknik veriler için lütfen ürünün resmi 'datasheet' belgesini kontrol ediniz.